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人民財訊10月7日電，微導納米成功研發出國內首臺量產型High-k ALD設備。該設備不僅順利應用于集成電路制造前道生產線，更一舉攻克國內集成電路突破關鍵制程節點的核心難題——高介電常數（High-k）柵氧層薄膜工藝，為推動國內半導體產業自主化進程作出了重要貢獻。CVD設備在硬掩膜等關鍵工藝領域取得突破性進展，公司成為國內首批成功開發硬掩膜化學氣相沉積（CVD）設備，并順利進入產業鏈核心廠商量產線的國產企業。

公司核心技術已實現多領域覆蓋，可精準適配邏輯芯片、存儲芯片、先進封裝、化合物半導體及新型顯示中的薄膜沉積技術等關鍵應用場景。公司持續聚焦半導體先進制程薄膜工藝解決方案，服務并引領半導體新架構、新器件發展，打通國內先進半導體下一代技術迭代的需求，引領行業創新發展。