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人民財(cái)訊9月8日電，據(jù)捷佳偉創(chuàng)消息，近日，捷佳偉創(chuàng)聯(lián)合中山大學(xué)材料學(xué)院成功攻克了透明導(dǎo)電氧化物（TCO）薄膜的技術(shù)瓶頸，創(chuàng)新性地提出“臨界成核策略”，成功制備出高電子遷移率的鈰摻雜氧化銦（ICO）薄膜。該研究成果已于近日以《Eliminating Mobility-Thickness Dependence in Transparent Conductive Oxide Layer Growth: A Critical Nucleation Strategy》為題發(fā)表于國(guó)際頂級(jí)材料期刊《Advanced Materials》。